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第64章 星晓[11] ASML EUV发布！（第5页）

加利福尼亚州圣迭戈市，高通总部。

陈天鹤此行?的目的。

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光源系统是?光刻机制造的核心，是?晶圆光刻工程的起始步，与光刻工程后续每一步息息相?关。

光源系统主要三?大单元是?光的产生、收集和均一化，初代?光刻机的光源系统还包括光的纯化，但第四代?、第五代?的激光器产生的光源已经达到要求，只需要让光均匀化就行?。

光是?雕刻的工具，由激光器产生，涉及三?项技术指标即光刻分辨率、套刻精度和产能。

光刻分辨率有?一道计算公式，照公式调整影响因?数从而提高光刻分辨率，这方面难度不?大，但是?受掩膜设计、抗蚀剂工艺等牵制，必须同时?达到最佳化才能实现理想的光刻分辨率。

套刻精度与光刻分辨率相?关，直接受其影响。

至于产能，则与光源系统的稳定相?关。

以上是?对激光器的要求，相?对整个?光源系统的技术要求不?算高，系统工程程序中最难的步骤是?光的收集。

收集难度大，转化效率也低。

雷客坐在电脑前，操纵鼠标在软件里做精密的计算：“所需的极紫外光必须在真空下进?行?反射，不?能被折射，因?为它非常容易被吸收。真空腔内的反射镜需要特殊镀膜，把这束光，从光源一路引导到晶圆……经过十几?次反射，最终剩下的光线不?到2%！”

围观过来的研发部成员倒吸一口凉气，虽早知光源转化率低，但听?到这数字还是?低得让他们心疼。

光源转化率低就意味着能量的巨大消耗，最直观的例子，一台euv机器输出功率两百瓦左右，工作一天，耗电三?万度。

光线利用率不?到2%已经是?优化其他性能所能够得到的最佳数据，决定该性能优化的决定性关键就是?反射镜的精度。

“精度必须以皮秒来计算。”

换句话说，光刻机所需的反射镜精度必须打磨到万亿分之一米。

盛明安：“用硅和钼反复镀膜，直到光线利用率达到国际标准。”

当下有?人反驳：“都是?纳米级镀膜，反复镀膜也会影响精度，工艺太难了?！”